SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 반도체 시장을 겨냥한 초고성능 D램 신제품 'HBM4E' 12단 샘플을 주요 고객사에 공급하며 차세대 고대역폭메모리(HBM) 시장 선점에 속도를 내고 있다.
SK하이닉스는 18일 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 주요 고객사에 제공하고 본격적인 성능 검증 절차에 돌입했다고 밝혔다. 회사는 그동안 축적해 온 HBM 선행 개발 역량과 양산 노하우를 바탕으로 차세대 AI 시스템에 최적화된 제품을 선보였으며, 고객사와의 긴밀한 협력을 통해 적기 양산 체제를 구축한다는 계획이다.
이번 HBM4E는 기존 HBM4보다 성능과 전력 효율을 한층 끌어올린 것이 특징이다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했으며 에너지 효율은 20% 이상 개선했다. AI 학습과 추론 과정에서 요구되는 방대한 데이터 처리량을 보다 효율적으로 지원할 수 있어 차세대 AI 가속기 성능 향상에 기여할 것으로 기대된다.
특히 최신 인터페이스 기술과 설계 최적화를 통해 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작을 구현했다. 이에 따라 AI 데이터센터와 초대형 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 높이고 시스템 병목 현상을 완화하는 데 도움이 될 것으로 전망된다.
제품에는 어드밴스드 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill) 공정이 적용됐다. 이를 통해 12단 적층 기준 48GB의 대용량 구현과 함께 구조적 안정성을 확보했으며, 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 환경에서도 안정적인 운영이 가능하도록 설계했다.
업계에서는 이번 HBM4E 샘플 공급이 SK하이닉스의 기술 리더십을 다시 한번 입증한 사례로 평가하고 있다. AI 반도체 시장이 급성장하면서 GPU와 AI 가속기의 성능을 좌우하는 HBM 수요가 폭증하는 가운데, 선제적인 제품 개발과 고객사 검증은 향후 시장 점유율 확대에 긍정적으로 작용할 것으로 예상된다.
반도체 업계 관계자는 "HBM 경쟁이 단순한 생산능력 경쟁을 넘어 성능과 전력효율, 안정성을 동시에 확보하는 방향으로 진화하고 있다"며 "HBM4E는 차세대 AI 서버와 데이터센터 구축 과정에서 핵심 메모리 솔루션으로 자리 잡을 가능성이 높다"고 평가했다.
시장에서는 SK하이닉스가 HBM3E에 이어 HBM4, HBM4E에서도 주도권을 이어갈 경우 AI 메모리 분야에서의 경쟁 우위를 더욱 강화할 수 있을 것으로 보고 있다. 특히 글로벌 빅테크 기업들의 AI 투자 확대와 차세대 AI 인프라 구축 수요가 지속되는 만큼 중장기 성장 동력 확보에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 전망된다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "업계 최고 수준의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E에서도 이어가며 AI 혁신을 지속적으로 이끌 기반을 마련했다"며 "파트너들과의 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현하고 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 더욱 공고히 하겠다"고 말했다.
